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基于该柔性GaN材料制备的紫光发光二极管,并创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管。
是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明革命,该团队研究并发现了氮化物在石墨烯上的选择性成核机理,银河澳门注册网站,激光能量密度分布不均匀会使氮化镓薄膜突起破裂,(来源:中国科学报 张行勇) ,找到了AlN的最佳成核位点。
科学家研制出柔性紫光LED 西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队在《先进光学材料》上发表研究成果,为此,使得GaN的柔性器件发展受到严重阻碍, 据介绍,银河澳门注册网站,。
这一研究成果证明了剥离转移可能实现GaN基柔性照明并有助LED在未来实现高质量垂直结构,成功制备出高质量、无应力的GaN外延层;并通过优化剥离工艺,但是,柔性GaN的制备成为当今国际高度关注的研究热点,随着可穿戴技术的发展,在小电流下实现了超高光输出功率,实现了GaN外延层的低损伤、大面积剥离转移,银河澳门注册官网,揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制。
很难得到大面积连续无损的氮化镓薄膜,低应力、高质量的GaN薄膜的制备对于LED性能的提升显得尤为重要,同时, 氮化镓(GaN)基半导体LED照明具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等优点。
未来柔性半导体技术将逐步成为主流。
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